为什么wepo写入后不允许立刻读取或者断电

NAND Flash 的写入有限制，不能像 RAM 或 NOR Flash 那样随便按字节覆盖。

单字节写入的实现，并不是直接在原地改那一个字节，而是 用读–改–写（Read-Modify-Write） 的方式完成的。

NAND Flash 的物理限制：

1、NAND Flash 的最小 擦除单位 是 Block（通常是 64KB、128KB…）。

2、最小 写入单位 是 Page（通常是 2KB、4KB…）。

3、写入时，只能把 1 变成 0，不能把 0 变回 1。

所以如果目标字节中任何一位需要从 0 → 1，就必须先擦除整个块。

在串口屏应用中，客户可能会同时写入多条wepo指令，底层代码会将多条wepo指令的修改合并在一起写入到flash中，减少写入的次数，从而提高flash寿命